ส่วนจำนวน :
2SD2206A(T6SEP,F,M
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS NPN 2A 120V TO226-3
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
2A
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
120V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
1.5V @ 1mA, 1A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
-
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
2000 @ 1A, 2V
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-92MOD