NXP USA Inc. - PSMN050-80PS,127

KEY Part #: K6415217

[12486ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    PSMN050-80PS,127
    ผู้ผลิต:
    NXP USA Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in NXP USA Inc. PSMN050-80PS,127 electronic components. PSMN050-80PS,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN050-80PS,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN050-80PS,127 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : PSMN050-80PS,127
    ผู้ผลิต : NXP USA Inc.
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 80V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 22A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 51 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 633pF @ 12V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 56W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AB
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • IRFIZ48G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRFI840G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.