ผู้ผลิต :
GeneSiC Semiconductor
ลักษณะ :
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
การกำหนดค่าไดโอด :
1 Pair Common Anode
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
35V
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io) (ต่อไดโอด) :
300A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
750mV @ 300A
ความเร็ว :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
-
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
1mA @ 20V
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส :
Twin Tower
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Twin Tower