Infineon Technologies - IDH12G65C5XKSA2

KEY Part #: K6440981

IDH12G65C5XKSA2 ราคา (USD) [15930ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.65301
  • 10 pcs$2.39829
  • 100 pcs$1.98553
  • 500 pcs$1.72895
  • 1,000 pcs$1.50587

ส่วนจำนวน:
IDH12G65C5XKSA2
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE SCHOTKY 650V 12A TO220-2-1. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IDH12G65C5XKSA2 electronic components. IDH12G65C5XKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDH12G65C5XKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDH12G65C5XKSA2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IDH12G65C5XKSA2
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : DIODE SCHOTKY 650V 12A TO220-2-1
ชุด : CoolSiC™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 650V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 12A (DC)
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.7V @ 12A
ความเร็ว : No Recovery Time > 500mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 0ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 190µA @ 650V
ความจุ @ Vr, F : 360pF @ 1V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-2
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO220-2-1
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • VS-8EWF04S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

  • UHB10FT-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.

  • VS-E4PU3006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SS24SHE3J_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC.

  • SS23SHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC.