IXYS - IXFN21N100Q

KEY Part #: K6393641

IXFN21N100Q ราคา (USD) [3716ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$12.30066
  • 10 pcs$12.23946

ส่วนจำนวน:
IXFN21N100Q
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFN21N100Q electronic components. IXFN21N100Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN21N100Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN21N100Q คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFN21N100Q
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
ชุด : HiPerFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1000V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 21A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 4mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 5900pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 520W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-227B
แพ็คเกจ / เคส : SOT-227-4, miniBLOC

คุณอาจสนใจด้วย
  • VN2410L-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.

  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.