ส่วนจำนวน :
IS61NLP102418B-250B3L
ผู้ผลิต :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ลักษณะ :
IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
ประเภทหน่วยความจำ :
Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
SRAM
เทคโนโลยี :
SRAM - Synchronous
ขนาดหน่วยความจำ :
18Mb (1M x 18)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา :
200MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
-
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
3.135V ~ 3.465V
อุณหภูมิในการทำงาน :
0°C ~ 70°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
165-TFBGA (13x15)