ผู้ผลิต :
GeneSiC Semiconductor
ลักษณะ :
TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
เทคโนโลยี :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
1700V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
8A (Tc) (90°C)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 8A
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
-
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
48W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-247AB