Rohm Semiconductor - SP8M4FU6TB

KEY Part #: K6523816

SP8M4FU6TB ราคา (USD) [4039ชิ้นสต็อก]

  • 2,500 pcs$0.41040

ส่วนจำนวน:
SP8M4FU6TB
ผู้ผลิต:
Rohm Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Rohm Semiconductor SP8M4FU6TB electronic components. SP8M4FU6TB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SP8M4FU6TB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SP8M4FU6TB คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SP8M4FU6TB
ผู้ผลิต : Rohm Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : N and P-Channel
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 9A, 7A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 21nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1190pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด : 2W
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SOP

คุณอาจสนใจด้วย