Renesas Electronics America - NP83P06PDG-E1-AY

KEY Part #: K6412731

[13345ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    NP83P06PDG-E1-AY
    ผู้ผลิต:
    Renesas Electronics America
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 60V 83A TO-263.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Renesas Electronics America NP83P06PDG-E1-AY electronic components. NP83P06PDG-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP83P06PDG-E1-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NP83P06PDG-E1-AY คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : NP83P06PDG-E1-AY
    ผู้ผลิต : Renesas Electronics America
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 83A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 41.5A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 190nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 10100pF @ 10V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.8W (Ta), 150W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-263
    แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    คุณอาจสนใจด้วย
    • BS108ZL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

    • AUIRLS3114Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK.

    • IRFR825PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

    • IRLR3714ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.

    • IRLR4343

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

    • IRLR4343TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.