ITT Cannon, LLC - 120220-0206

KEY Part #: K7359508

120220-0206 ราคา (USD) [550125ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.06724
  • 3,200 pcs$0.06328
  • 6,400 pcs$0.05932
  • 9,600 pcs$0.05537
  • 16,000 pcs$0.05339
  • 32,000 pcs$0.05260

ส่วนจำนวน:
120220-0206
ผู้ผลิต:
ITT Cannon, LLC
คำอธิบายโดยละเอียด:
UNIVERSAL CONTACT 4MM SMD. Battery Contacts
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: RF Diplexers, เครื่องส่งสัญญาณ RF, RFI และ EMI - รายชื่อติดต่อ Fingerstock และปะเก็น, เครื่องรับ RF, Demodulators RF, เสาอากาศ RFID, อุปกรณ์เสริม RFID and ลดทอนสัญญาณ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ITT Cannon, LLC 120220-0206 electronic components. 120220-0206 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 120220-0206, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

120220-0206 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : 120220-0206
ผู้ผลิต : ITT Cannon, LLC
ลักษณะ : UNIVERSAL CONTACT 4MM SMD
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ชนิด : Shield Finger, Pre-Loaded
รูปร่าง : -
ความกว้าง : 0.043" (1.10mm)
ความยาว : 0.194" (4.92mm)
ความสูง : 0.157" (4.00mm)
วัสดุ : Beryllium Copper
การชุบ : Nickel
การชุบ - ความหนา : 118.11µin (3.00µm)
วิธีการแนบ : Solder
อุณหภูมิในการทำงาน : -

คุณอาจสนใจด้วย
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.