Global Power Technologies Group - GP1M008A025FG

KEY Part #: K6402693

[2615ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    GP1M008A025FG
    ผู้ผลิต:
    Global Power Technologies Group
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 250V 8A TO220F.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP1M008A025FG electronic components. GP1M008A025FG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M008A025FG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M008A025FG คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : GP1M008A025FG
    ผู้ผลิต : Global Power Technologies Group
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 250V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 8A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 4A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 8.4nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 423pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 17.3W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220F
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack

    คุณอาจสนใจด้วย
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

    • GP1M007A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

    • GP1M003A090C

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.