IXYS - IXFN34N100

KEY Part #: K6400820

IXFN34N100 ราคา (USD) [2165ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$21.10267
  • 10 pcs$20.99768

ส่วนจำนวน:
IXFN34N100
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFN34N100 electronic components. IXFN34N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN34N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN34N100 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFN34N100
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
ชุด : HiPerFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1000V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 34A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5.5V @ 8mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 380nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 9200pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 700W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-227B
แพ็คเกจ / เคส : SOT-227-4, miniBLOC

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRLR2905ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • 2SK3045

    Panasonic Electronic Components

    MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

  • IPB04N03LA

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

  • IPB04N03LAT

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

  • SPB02N60S5ATMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263.

  • SPB42N03S2L-13

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK.