ส่วนจำนวน :
NSTB1002DXV5T1G
ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
ประเภททรานซิสเตอร์ :
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100mA, 200mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V, 40V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) :
47 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) :
47 kOhms
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
500nA
ความถี่ - การเปลี่ยน :
250MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOT-553