IXYS - IXFH14N100Q

KEY Part #: K6401330

[3088ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IXFH14N100Q
    ผู้ผลิต:
    IXYS
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in IXYS IXFH14N100Q electronic components. IXFH14N100Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH14N100Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFH14N100Q คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IXFH14N100Q
    ผู้ผลิต : IXYS
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
    ชุด : HiPerFET™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1000V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 14A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 7A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 4mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 170nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4500pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 360W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AD (IXFH)
    แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

    คุณอาจสนใจด้วย