Taiwan Semiconductor Corporation - SSL33 M6G

KEY Part #: K6457438

SSL33 M6G ราคา (USD) [504048ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.07338

ส่วนจำนวน:
SSL33 M6G
ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 M6G electronic components. SSL33 M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSL33 M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSL33 M6G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SSL33 M6G
ผู้ผลิต : Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภทไดโอด : Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 30V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 3A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 410mV @ 3A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 200µA @ 30V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-214AB, SMC
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AB (SMC)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 125°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • US1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt

  • ES2CHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2AHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2BHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • MURS120HE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 1A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD