ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR16320C-6BL

KEY Part #: K936868

IS43LR16320C-6BL ราคา (USD) [15300ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$3.97422
  • 300 pcs$3.95445

ส่วนจำนวน:
IS43LR16320C-6BL
ผู้ผลิต:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
คำอธิบายโดยละเอียด:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: PMIC - เครื่องชาร์จแบตเตอรี่, PMIC - วงจรควบคุมแรงดันไฟฟ้า - ชุดควบคุมการสลับกระ, เอ็มเบ็ดเด็ด - ไมโครคอนโทรลเลอร์, ไมโครโปรเซสเซอร์, อินเทอร์เฟซ - UARTs (Universal Asynchronous Receiv, ตรรกะ - นักแปลระดับจำแลง, ส่วนต่อประสาน - CODEC, ตรรกะ - หน่วยความจำ FIFO and อินเตอร์เฟซ - เซ็นเซอร์และตรวจจับการเชื่อมต่อ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-6BL electronic components. IS43LR16320C-6BL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43LR16320C-6BL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43LR16320C-6BL คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IS43LR16320C-6BL
ผู้ผลิต : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ลักษณะ : IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทหน่วยความจำ : Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ : DRAM
เทคโนโลยี : SDRAM - Mobile LPDDR
ขนาดหน่วยความจำ : 512Mb (32M x 16)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา : 166MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : 15ns
เวลาเข้าถึง : 5.5ns
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 1.7V ~ 1.95V
อุณหภูมิในการทำงาน : 0°C ~ 70°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 60-TFBGA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 60-TFBGA (8x10)

ข่าวล่าสุด

คุณอาจสนใจด้วย
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16