Toshiba Semiconductor and Storage - TPN3300ANH,LQ

KEY Part #: K6411648

TPN3300ANH,LQ ราคา (USD) [274457ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.14899
  • 3,000 pcs$0.14825

ส่วนจำนวน:
TPN3300ANH,LQ
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300ANH,LQ electronic components. TPN3300ANH,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN3300ANH,LQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN3300ANH,LQ คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TPN3300ANH,LQ
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
ชุด : U-MOSVIII-H
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 9.4A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 100µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 880pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 700mW (Ta), 27W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerVDFN

คุณอาจสนใจด้วย