GeneSiC Semiconductor - MBR20035CTR

KEY Part #: K6468494

คำอธิบายโดยละเอียด:: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 200A Schottky Recovery

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR20035CTR electronic components. MBR20035CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR20035CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : MBR20035CTR

ผู้ผลิต : GeneSiC Semiconductor

ลักษณะ : DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

ชุด : -

สถานะส่วนหนึ่ง : Active

การกำหนดค่าไดโอด : 1 Pair Common Anode

ประเภทไดโอด : Schottky

แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 35V

ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io) (ต่อไดโอด) : 200A (DC)

แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 650mV @ 100A

ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -

ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5mA @ 20V

อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -

ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount

แพ็คเกจ / เคส : Twin Tower

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Twin Tower

คุณอาจสนใจด้วย

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.