Infineon Technologies - IPB60R330P6ATMA1

KEY Part #: K6401865

IPB60R330P6ATMA1 ราคา (USD) [2902ชิ้นสต็อก]

  • 1,000 pcs$0.40485

ส่วนจำนวน:
IPB60R330P6ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPB60R330P6ATMA1 electronic components. IPB60R330P6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R330P6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R330P6ATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPB60R330P6ATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH TO263-3
ชุด : CoolMOS™ P6
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 12A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 370µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1010pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 93W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D²PAK (TO-263AB)
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.

  • PMN27XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP.