ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
650V FS GEN3 TRENCH IGBT
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
650V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
80A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) :
120A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
1.81V @ 15V, 40A
การสลับพลังงาน :
194µJ (on), 388µJ (off)
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c :
19.2ns/68.8ns
ทดสอบสภาพ :
400V, 40A, 6 Ohm, 15V
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
-
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
TO-3P-3, SC-65-3
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-3PN