ส่วนจำนวน :
TSM3N100CP ROG
ผู้ผลิต :
Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
1000V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
2.5A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
19nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
664pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
99W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-252, (D-Pak)
แพ็คเกจ / เคส :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63