ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
140mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
20 Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
50pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
625mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-92-3
แพ็คเกจ / เคส :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)