ส่วนจำนวน :
BSM35GD120DLCE3224BOSA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
สถานะส่วนหนึ่ง :
Not For New Designs
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
70A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.6V @ 15V, 35A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
80µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
2nF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 125°C
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Module