Nexperia USA Inc. - PSMN4R1-60YLX

KEY Part #: K6420122

PSMN4R1-60YLX ราคา (USD) [162078ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.22821
  • 1,500 pcs$0.19251

ส่วนจำนวน:
PSMN4R1-60YLX
ผู้ผลิต:
Nexperia USA Inc.
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN4R1-60YLX electronic components. PSMN4R1-60YLX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN4R1-60YLX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R1-60YLX คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : PSMN4R1-60YLX
ผู้ผลิต : Nexperia USA Inc.
ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
ชุด : TrenchMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 100A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.1V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 103nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 7853pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 238W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : LFPAK56, Power-SO8
แพ็คเกจ / เคส : SC-100, SOT-669