ON Semiconductor - RFD16N05LSM9A

KEY Part #: K6392736

RFD16N05LSM9A ราคา (USD) [182092ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.20414
  • 2,500 pcs$0.20312

ส่วนจำนวน:
RFD16N05LSM9A
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor RFD16N05LSM9A electronic components. RFD16N05LSM9A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFD16N05LSM9A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFD16N05LSM9A คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : RFD16N05LSM9A
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 50V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 16A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4V, 5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 250mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 60W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-252AA
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

คุณอาจสนใจด้วย