Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-40EPF12PBF

KEY Part #: K6445554

VS-40EPF12PBF ราคา (USD) [13116ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.83811
  • 10 pcs$2.54989
  • 25 pcs$2.41063
  • 100 pcs$2.08918
  • 250 pcs$1.98204
  • 500 pcs$1.77847
  • 1,000 pcs$1.49992

ส่วนจำนวน:
VS-40EPF12PBF
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC. Rectifiers 1200 Volt 40 Amp
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-40EPF12PBF electronic components. VS-40EPF12PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-40EPF12PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-40EPF12PBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : VS-40EPF12PBF
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 40A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.4V @ 40A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 450ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 100µA @ 1200V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-2
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AC Modified
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -40°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.