ส่วนจำนวน :
IKW50N65EH5XKSA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
650V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
80A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) :
200A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 50A
การสลับพลังงาน :
1.5mJ (on), 500µJ (off)
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c :
25ns/172ns
ทดสอบสภาพ :
400V, 50A, 12 Ohm, 15V
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
81ns
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-TO247-3