ลักษณะ :
MOSFET 4N-CH 500V 40A V2
ประเภท FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
40A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
116 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 8mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
270nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
-
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
V2-PAK