ส่วนจำนวน :
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
สถานะส่วนหนึ่ง :
Not For New Designs
องค์ประกอบ :
Three Phase Inverter
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
35A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 25A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
800µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
1.65nF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Module