Vishay Semiconductor Diodes Division - SS2H10HE3/52T

KEY Part #: K6444071

[2575ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SS2H10HE3/52T
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SS2H10HE3/52T electronic components. SS2H10HE3/52T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS2H10HE3/52T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SS2H10HE3/52T คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SS2H10HE3/52T
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
    ชุด : Automotive, AEC-Q101
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภทไดโอด : Schottky
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 100V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 2A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 790mV @ 2A
    ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 100V
    ความจุ @ Vr, F : -
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : DO-214AA, SMB
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AA (SMB)
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 175°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • RJU60C2SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

    • RJU60C3SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

    • BAS16-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

    • VS-50WQ06FNTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.