ส่วนจำนวน :
IGZ100N65H5XKSA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
IGBT 650V 100A SGL TO-247-4
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
650V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
161A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) :
400A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 100A
การสลับพลังงาน :
850µJ (on), 770µJ (off)
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c :
30ns/421ns
ทดสอบสภาพ :
400V, 50A, 8 Ohm, 15V
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
-
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-TO247-4