Taiwan Semiconductor Corporation - TSM9ND50CI

KEY Part #: K6395106

TSM9ND50CI ราคา (USD) [57375ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.68150

ส่วนจำนวน:
TSM9ND50CI
ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
500V 9A 0.9O SINGLE N-CHANNEL.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM9ND50CI electronic components. TSM9ND50CI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM9ND50CI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM9ND50CI คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TSM9ND50CI
ผู้ผลิต : Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ : 500V 9A 0.9O SINGLE N-CHANNEL
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 9A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.8V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 24.5nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1116pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 50W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : ITO-220
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

คุณอาจสนใจด้วย