Microsemi Corporation - APT37M100B2

KEY Part #: K6396062

APT37M100B2 ราคา (USD) [4340ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$10.98021
  • 10 pcs$10.15507
  • 100 pcs$8.67311

ส่วนจำนวน:
APT37M100B2
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation APT37M100B2 electronic components. APT37M100B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT37M100B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT37M100B2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : APT37M100B2
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1000V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 37A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 2.5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 305nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 9835pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1135W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : T-MAX™ [B2]
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3 Variant

คุณอาจสนใจด้วย