Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8DTHE3/45

KEY Part #: K6446647

[1694ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    NSB8DTHE3/45
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8DTHE3/45 electronic components. NSB8DTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8DTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NSB8DTHE3/45 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : NSB8DTHE3/45
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Discontinued at Digi-Key
    ประเภทไดโอด : Standard
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 200V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 8A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.1V @ 8A
    ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 200V
    ความจุ @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-263AB
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • BAT54-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • VS-50WQ10FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ04FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.

    • VS-30CPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

    • VS-80EPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.