Infineon Technologies - SIGC158T120R3LEX1SA2

KEY Part #: K6423197

SIGC158T120R3LEX1SA2 ราคา (USD) [3751ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$11.54544

ส่วนจำนวน:
SIGC158T120R3LEX1SA2
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT 1200V 150A DIE.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies SIGC158T120R3LEX1SA2 electronic components. SIGC158T120R3LEX1SA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIGC158T120R3LEX1SA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIGC158T120R3LEX1SA2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIGC158T120R3LEX1SA2
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : IGBT 1200V 150A DIE
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : -
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) : 450A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 150A
พลังงาน - สูงสุด : -
การสลับพลังงาน : -
ประเภทอินพุต : Standard
ค่าประตู : -
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c : -
ทดสอบสภาพ : -
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
อุณหภูมิในการทำงาน : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : Die
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Die

คุณอาจสนใจด้วย