IXYS - IXTH140N075L2

KEY Part #: K6394864

IXTH140N075L2 ราคา (USD) [6263ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$6.57951

ส่วนจำนวน:
IXTH140N075L2
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTH140N075L2 electronic components. IXTH140N075L2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH140N075L2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH140N075L2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTH140N075L2
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH
ชุด : Linear L2™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 75V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 140A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 275nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 9300pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 540W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3