Vishay Siliconix - SI4114DY-T1-E3

KEY Part #: K6419364

SI4114DY-T1-E3 ราคา (USD) [107279ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.34478
  • 2,500 pcs$0.32302

ส่วนจำนวน:
SI4114DY-T1-E3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI4114DY-T1-E3 electronic components. SI4114DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4114DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4114DY-T1-E3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI4114DY-T1-E3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 20A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3700pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

คุณอาจสนใจด้วย