ส่วนจำนวน :
71T75602S150PFGI8
ผู้ผลิต :
IDT, Integrated Device Technology Inc
ลักษณะ :
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
ประเภทหน่วยความจำ :
Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
SRAM
เทคโนโลยี :
SRAM - Synchronous ZBT
ขนาดหน่วยความจำ :
18Mb (512K x 36)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา :
150MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
-
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
2.375V ~ 2.625V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
100-TQFP (14x14)