ส่วนจำนวน :
TK3R1A04PL,S4X
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
82A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.4V @ 500µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
63.4nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
4670pF @ 20V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
36W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-220SIS
แพ็คเกจ / เคส :
TO-220-3 Full Pack