GeneSiC Semiconductor - MBRT600100R

KEY Part #: K6468484

คำอธิบายโดยละเอียด:: DIODE MODULE 100V 600A 3TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A100P/70R

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRT600100R electronic components. MBRT600100R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRT600100R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : MBRT600100R

ผู้ผลิต : GeneSiC Semiconductor

ลักษณะ : DIODE MODULE 100V 600A 3TOWER

ชุด : -

สถานะส่วนหนึ่ง : Active

การกำหนดค่าไดโอด : 1 Pair Common Anode

ประเภทไดโอด : Schottky

แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 100V

ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io) (ต่อไดโอด) : 600A (DC)

แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 880mV @ 300A

ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -

ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1mA @ 20V

อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -

ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount

แพ็คเกจ / เคส : Three Tower

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Three Tower

คุณอาจสนใจด้วย

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
ATF-34143-TR1

Broadcom Limited

FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343.
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.