Vishay Siliconix - SQ2325ES-T1_GE3

KEY Part #: K6421073

SQ2325ES-T1_GE3 ราคา (USD) [344842ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.10726
  • 3,000 pcs$0.09710

ส่วนจำนวน:
SQ2325ES-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 150V 840MA TO236.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SQ2325ES-T1_GE3 electronic components. SQ2325ES-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ2325ES-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ2325ES-T1_GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SQ2325ES-T1_GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
ชุด : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 150V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 840mA (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.77 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 250pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 3W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-236 (SOT-23)
แพ็คเกจ / เคส : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

คุณอาจสนใจด้วย