ส่วนจำนวน :
DMN4800LSSQ-13
ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
ชุด :
Automotive, AEC-Q101
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
8.6A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.6V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
8.7nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
798pF @ 10V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1.46W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SO
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)