Vishay Semiconductor Diodes Division - ES1D-E3/5AT

KEY Part #: K6455080

ES1D-E3/5AT ราคา (USD) [1099474ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.03364
  • 7,500 pcs$0.02848
  • 15,000 pcs$0.02532
  • 37,500 pcs$0.02373
  • 52,500 pcs$0.02110

ส่วนจำนวน:
ES1D-E3/5AT
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES1D-E3/5AT electronic components. ES1D-E3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1D-E3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1D-E3/5AT คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : ES1D-E3/5AT
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 920mV @ 1A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 25ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5µA @ 200V
ความจุ @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-214AC, SMA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AC (SMA)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MBRB40250TG

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers REC D2PAK 40A 250V SHOTTKY

  • VS-50WQ04FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • SD103AW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM

  • SD103BW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM