Vishay Siliconix - SIHU7N60E-E3

KEY Part #: K6419154

SIHU7N60E-E3 ราคา (USD) [94560ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.41557
  • 3,000 pcs$0.41351

ส่วนจำนวน:
SIHU7N60E-E3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SIHU7N60E-E3 electronic components. SIHU7N60E-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHU7N60E-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHU7N60E-E3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIHU7N60E-E3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 7A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 680pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 78W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-251
แพ็คเกจ / เคส : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

คุณอาจสนใจด้วย