ส่วนจำนวน :
IS43DR16320C-3DBL
ผู้ผลิต :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ลักษณะ :
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
ประเภทหน่วยความจำ :
Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
DRAM
ขนาดหน่วยความจำ :
512Mb (32M x 16)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา :
333MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
15ns
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
1.7V ~ 1.9V
อุณหภูมิในการทำงาน :
0°C ~ 70°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
84-TWBGA (8x12.5)