Microsemi Corporation - JANTX1N5190

KEY Part #: K6442748

JANTX1N5190 ราคา (USD) [4250ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$10.54007
  • 10 pcs$9.58104
  • 25 pcs$8.86256
  • 100 pcs$7.74662
  • 250 pcs$7.06310

ส่วนจำนวน:
JANTX1N5190
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5190 electronic components. JANTX1N5190 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5190, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5190 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : JANTX1N5190
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
ชุด : Military, MIL-PRF-19500/424
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 3A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.5V @ 9A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 400ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 2µA @ 600V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : B, Axial
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : -
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -

คุณอาจสนใจด้วย
  • LXA08B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 8A Low Qrr

  • VS-MBRD320PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK.

  • VS-8EWS12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS16SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252.

  • VS-8EWF12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252.