Diodes Incorporated - DMT10H072LFDF-7

KEY Part #: K6395962

DMT10H072LFDF-7 ราคา (USD) [302912ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.12211

ส่วนจำนวน:
DMT10H072LFDF-7
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET BVDSS 61V-100V U-DFN2020.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - RF and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMT10H072LFDF-7 electronic components. DMT10H072LFDF-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT10H072LFDF-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT10H072LFDF-7 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMT10H072LFDF-7
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET BVDSS 61V-100V U-DFN2020
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 5.1nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 266pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 800mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : U-DFN2020-6
แพ็คเกจ / เคส : 6-UDFN Exposed Pad