Vishay Semiconductor Diodes Division - S1DHE3/5AT

KEY Part #: K6446964

[1586ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    S1DHE3/5AT
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S1DHE3/5AT electronic components. S1DHE3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1DHE3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    S1DHE3/5AT คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : S1DHE3/5AT
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภทไดโอด : Standard
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 200V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.1V @ 1A
    ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 1.8µs
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1µA @ 200V
    ความจุ @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : DO-214AC, SMA
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AC (SMA)
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • RHRD660S9A_NL

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK.

    • MMBD1501A_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

    • MMBD1201_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • VS-8EWX06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast

    • GPP60G-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

    • GPP60B-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 6A P600.