ON Semiconductor - FCA20N60-F109

KEY Part #: K6417576

FCA20N60-F109 ราคา (USD) [34642ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.18972

ส่วนจำนวน:
FCA20N60-F109
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FCA20N60-F109 electronic components. FCA20N60-F109 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCA20N60-F109, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCA20N60-F109 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FCA20N60-F109
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
ชุด : SuperFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 20A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3080pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 208W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-3PN
แพ็คเกจ / เคส : TO-3P-3, SC-65-3

คุณอาจสนใจด้วย