IXYS - IXFT30N60Q

KEY Part #: K6410418

IXFT30N60Q ราคา (USD) [7589ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$5.97148

ส่วนจำนวน:
IXFT30N60Q
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268D3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFT30N60Q electronic components. IXFT30N60Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT30N60Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT30N60Q คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFT30N60Q
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 30A TO-268D3
ชุด : HiPerFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 30A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 4mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 125nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4700pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 500W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-268
แพ็คเกจ / เคส : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

คุณอาจสนใจด้วย